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电子呆料、电子元器件在当今5G高速网络时代会有一大批被淘汰，为什么呢？从5G网络自身的运算速度来说，是上个时代主流网络4G的上百倍，在如此快速的转换、运行的环境下，势必要求各个元器件达到更高的标准，像运算速度慢、能耗高、延时高等的一些问题使老一代的电子元器件无法胜任5G时代的要求。

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每个电子元器件制造生产企业都会存在电子呆料、废料的情况，如何处理比较合理？从以往的电子呆料处理市场反馈来说，大部分企业都有自己长期的处理渠道，一般来说就是有固定的3个左右回收商合作，但是也有弊端，因为封闭性导致没有市场数据参入，厂家会觉得价格卖得低，回收商会觉得价格收得高，都是想着能利润。
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电容回收
法拉电容又叫双电层电容器、黄金电容、超级电容器，是从上个世纪七八十年代发展起来的一种化学元件。超级电容器通过极化电解质来储能，但不发生化学反应，而且储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。法拉电容金额普通电容的区别是容量上的差别。普通电容器容量大在1万~4万微法，超级电容器大容量可达数千法拉，1法拉=100万微法，所以超级电容又叫做法拉电容。

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可控硅回收
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

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IC回收
IC芯片(Integrated Circuit集成电路)是将大量的微电子元器件(晶体管、电阻、电容等)形成的集成电路放在一块塑基上，做成一块芯片。而今几乎所有看到的芯片，都可以叫做IC芯片。
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路为杰克·基尔比（基于锗的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

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芯片在使用过程中，电子在不停撞击着金属铜，把它推向一侧，另导线断裂。热载流子会撞击栅极氧化层，令其损坏，导致器件失效，即所谓的HCI。在高温下，介电层会慢慢的失效，导致本来隔离的两个部分之间发生短路，所谓的TDDB。也就是说芯片也是有寿命的，芯片就是会坏的。
三极管回收
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。